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2022-08-19
在正向偏压中，正电压相对于结的n型侧被施加到p型侧。这样施加电压时，p类型区域中的空穴和n型区域中的电子被迫面对结，这减小了耗尽层的宽度。
施加在P材料上的正电荷排斥空穴，施加在N材料上的负电荷排斥电子。电子和空穴之间的距离随着它们被推向结而减小，这降低了内置势垒。
随着正向偏置电压的增加，耗尽层最终变得足够薄，无法抵消内置电场的通过PN结电荷载流子移动，从而降低电阻。PN进入p型材料的电子(或通过n型材料的空穴)将在近中性区域扩散。因此，近中性区的少数扩散量决定了可能通过二极管的电流量。
虽然电子在复合前只穿透很短的距离进入p材料，但电流不会中断，因为空穴（大多数载流子）开始向相反的方向流动，取代了几个载流子电子的复合空穴。总电流（电子和空穴位电流之和）在空间中是恒定的，因为任何变化都会随着时间（这是基尔霍夫电流定律）导致电荷积累。空穴从p型区域到n型区域的流动和电子P流动完全相似（电子和空穴交换角色，所有电流和电压符号都颠倒）。
因此，流经二极管的电流宏观图涉及电子流经n型区域的流向结，空穴以相反的方向流经p型区域的流向结，两个载流子靠近结(由扩散长度给出)。电子和空穴向相反的方向移动，但它们也有相反的电荷。因此，根据需要，二极管两侧的总电流方向相同。
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